ALD(原子層堆積)成膜装置

ALD(原子層堆積)成膜装置

  • 実験・研究開発向けALD装置

    • 2重構造チャンバ(特許出願中)によるメンテナンス負荷低減と内容積のコンパクト化

      • 外周部の大気遮断はSUS316を用いたチャンバ構造とし、プロセスエリアにはクォーツを用いた2重のチャンバ構造を備えます。プロセスガスはクォーツチャンバ内のみに接するので、余剰成膜物や堆積物はSUSチャンバ側へは殆ど生じません。また、クォーツチャンバは非常に簡単に脱着出来るので、洗浄等のメンテナンスを簡易に行う事が可能です。この構造によりメンテナンス負荷の低減と、ダウンタイムの短縮を図り、研究開発のタクトアップに貢献します。さらに、実効チャンバ内容積を大幅に低減する事が可能となり、デッドスペースの排除、到達時間の短縮につながっております。

    • 弊社の蓄積した熱ソリューションを集約し、最適な温度管理を実現

      従来から培って参りました弊社熱ソリューションを集約し、材料気化から排気まで、最適で安全な温度管理を実現しております。
      1) プリカーサボトルのマルチゾーンヒーティング
      プリカーサボトルに対して、内蔵するプリカーサの気化特性に合わせて、複数のゾーンに分けた加熱管理を行います。これによってプリカーサの熱分解リスクの低減と、バブリングを用いないパーティクルレス化、残留ガスの低減を実現しています。

      • 2) 供給・排気ラインの最適温度管理

        供給及び排気ラインへは、弊社独自開発のイージートレースヒータを搭載し、温度分布の改善と省スペース化によるコンパクト設計を実現しています。また加熱制御エリアを細分化、最適化し、無駄な加熱や堆積物の防止に努めるとともに、各制御エリアごとに独立した各種監視機能を備え、ヒータを要因とした事故災害を未然に防止します。


      3) Hi-Watty(AlNヒータ)を採用したヒートステージ
      基板加熱を行うヒートステージには弊社製Hi-Wattyを搭載し、非常に速い昇温性能によって、プロセス開始までの準備時間を短縮しています。
      • 4) WEXによるキャリアガス、パージガス温度管理

        御好評を頂いている弊社オリジナル製品のWEX(ヒートエクスチェンジャー)をパージライン、キャリアラインに採用し、加熱ガスを供給する事によって温度低下の防止やミキシングガスの温度管理を行っています。弊社WEXは高いクリーン性能を誇り、供給ガスや材料の純度を損ないません。

    • 多様なカスタマイズと安全構造

      弊社成膜装置には仕様を固定したカタログモデルは御座いません。ベースモデルを基に都度お客様と仕様を詰め、ニーズにマッチした製品を提供させて頂きます。 安全仕様に付きましても、多彩なハードインターロック、ソフトインターロックによる監視により、お客様を始め装置の安全を見守ります。
      カスタマイズの例として、
      ・装置の3サイズを変えたい
      ・既に設備している機器があるので重複は避けたい(レスオプション)
      ・付帯設備を補強したい(ガス検知器、オゾナイザー、N2精製等)
      ・他の機器、設備との信号のやり取りをしたい(外部インターフェイス)
      ・独自安全規格に適合させたい
      ・成膜種を増やしたい(プリカーサの追加)
      この他にも、あらゆる御要望に応えさせて頂きます。

弊社独自開発の2重チャンバ構造や偏向ノズル、ヒートステージ機構を備え、高品質な成膜とメンテナンス負荷の低減を実現しています。また、従来ユーザサイドで用意する必要のある各種付帯設備を標準搭載しており、装置導入に伴う設備投資コストを最小限に抑えております。その他にも多彩な特徴を備え、ユーザ様のさまざまなニーズにお応えします。

各種デモ機 稼働中!

デモ機を弊社相模原事業所内に常設しております。当デモ機に関するお問い合わせ、御見学や受託成膜のご相談等は弊社営業部担当へお尋ねください。

Therma/ALD/対応 PEALDシステム販売中!

準量産向けPEALD成膜装置を鋭意開発しています。初号機は弊社相模原事業所内にデモ機として設置致します。当装置に関するお問い合わせ、御見学やテスト成膜の御要望等は弊社営業部担当へお尋ねください。

仕様

  • プロセスThermal Atomic Layer Deposition
    チャンバ構成2重構造チャンバ
    ワークサイズMax 2inch
    成膜温度Ma 400℃
    成膜圧力1Pa以上
    成膜種有機金属材料による酸化膜或いは窒化膜
    ※酸化膜と窒化膜は同一装置内で併用できません。

プロセスチャンバ8inch用 SU316オリジナル (オプションで6inch対応可能)
成膜種酸化膜 (仕様変更により窒化膜にも対応可能)
基板温度最高500℃
成膜圧力1Pa以上 到達圧力8×10-2Pa
プラズマ出力最大1kW
プラズマガス種Ar O2 H2
プリカーサ3種類搭載可能
搭載機器APC(プリカーサと還元材を独立排気)Ar精製器ALDモニタその他
成膜種例

・Al2O3 ・TiO2 ・HfO2 ・ZrO2 ・TiN ・AlN 等

成膜サンプル画像

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